STF10N60M2
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
| Основные | |
| максимальная рабочая температура | 150 C |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| вид монтажа: | Through Hole |
| категория продукта: | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| подкатегория: | MOSFETs |
| производитель: | STMicroelectronics |
| серия: | STF10N60M2 |
| тип продукта: | MOSFET |
| торговая марка: | STMicroelectronics |
| размер фабричной упаковки: | 1000 |
| упаковка: | Tube |
| упаковка / блок: | TO-220-3 |
| время нарастания: | 8 ns |
| время спада: | 13.2 ns |
| Вес и габариты | |
| коммерческое обозначение: | MDmesh |
| channel type | N Channel |
| pd - рассеивание мощности: | 25 W |
| количество каналов: | 1 Channel |
| технология: | Si |
| рассеиваемая мощность | 25Вт |
| power dissipation | 25Вт |
| конфигурация: | Single |
| напряжение истока-стока vds | 600В |
| полярность транзистора | N Канал |
| стиль корпуса транзистора | TO-220FP |
| непрерывный ток стока | 7.5А |
| сопротивление во включенном состоянии rds(on) | 0.55Ом |
| напряжение измерения rds(on) | 10В |
| пороговое напряжение vgs | 3В |
| rds on - drain-source resistance | 600mО© @ 4A,10V |
| transistor polarity | N Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage | 600V |
| vgs - gate-source voltage | 4V @ 250uA |
| id - непрерывный ток утечки: | 7.5 A |
| qg - заряд затвора: | 13.5 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток: | 560 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток: | 600 V |
| vgs - напряжение затвор-исток: | - 25 V, + 25 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 3 V |
| канальный режим: | Enhancement |
| полярность транзистора: | N-Channel |
| тип транзистора: | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения: | 32.5 ns |
| типичное время задержки при включении: | 8.8 ns |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 7.5A(Tc) |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 25W(Tc) |
| монтаж транзистора | Through Hole |
| drain source on state resistance | 0.55Ом |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
