STE53NC50
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
STE53NC50 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 500V 53A 4-Pin ISOTOP Tube - Arrow.com
| Информация о производителе | |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Основные | |
| максимальная рабочая температура | +150 °C |
| минимальная рабочая температура | -65 °C |
| серия | MDmesh, SuperMESH |
| длина | 38.2мм |
| тип корпуса | ISOTOP |
| тип монтажа | Монтаж на панель |
| число контактов | 4 |
| размеры | 38.2 x 25.5 x 9.1мм |
| pin count | 4 |
| packaging | Tube |
| product category | Power MOSFET |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | screw |
| part status | Active |
| pcb changed | 4 |
| ppap | No |
| standard package name | ISOTOP |
| supplier package | ISOTOP |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 460000 |
| minimum operating temperature (°c) | -65 |
| configuration | Single Dual Source |
| process technology | PowerMesh II |
| Вес и габариты | |
| количество элементов на ис | 1 |
| number of elements per chip | 1 |
| максимальное рассеяние мощности | 460 Вт |
| тип канала | N |
| channel type | N |
| transistor configuration | Одинарный |
| максимальное сопротивление сток-исток | 80 мОм |
| максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
| maximum gate threshold voltage | 4V |
| максимальное напряжение сток-исток | 500 В |
| типичный заряд затвора при vgs | 310 нКл при 10 В |
| номер канала | Поднятие |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 53 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 80 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 500 |
| maximum gate source voltage (v) | ±30 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 500 |
| typical fall time (ns) | 38 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 310 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 310 10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 11.2 25V |
| typical rise time (ns) | 70 |
| typical turn-on delay time (ns) | 46 |
| максимальный непрерывный ток стока | 53 A |
| материал транзистора | SI |
| типичное время задержки включения | 46 ns |
| minimum gate threshold voltage | 2V |
| категория | Мощный МОП-транзистор |
| типичная входная емкость при vds | 11,2 пФ при 25 В |
| maximum continuous drain current on pcb @ tc=25°c (a) | 53 |
| typical gate threshold voltage (v) | 10 |
| Высота | 9.1 мм |
| Ширина | 25.5 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![BCX54 (BCX54A), Транзистор NPN 45В 1А HFE=63…250 0.5Вт [SOT-89]](/wa-data/public/shop/products/98/74/297498/images/345808/345808.300x0.jpg "BCX54 (BCX54A), Транзистор NPN 45В 1А HFE=63…250 0.5Вт [SOT-89]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
