STD35NF06LT4

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
The STD35NF06LT4 is a 60V N-channel Power MOSFET developed using unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the MOSFET suitable for use as primary switch in advanced high efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications and applications with low gate charge driving requirements. • Low threshold drive• Gate charge minimized• High peak power• High ruggedness capability
Основные
максимальная рабочая температура175 C
количество выводов3вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
The STD35NF06LT4 is a 60V N-channel Power MOSFET developed using unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the MOSFET suitable for use as primary switch in advanced high efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications and applications with low gate charge driving requirements.
• Low threshold drive• Gate charge minimized• High peak power• High ruggedness capability
Основные
максимальная рабочая температура175 C
количество выводов3вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel typeN Channel
стандарты автомобильной промышленностиAEC-Q101
квалификацияAEC-Q101
рассеиваемая мощность80Вт
power dissipation80Вт
напряжение истока-стока vds60В
полярность транзистораN Канал
стиль корпуса транзистораTO-252(DPAK)
непрерывный ток стока17.5А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.014Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance0.014Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль