STD11N65M5, Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STD11N65M5
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
| Основные | |
| package / case | TO-252-3 |
| pin count | 3 |
| factory pack quantity | 2500 |
| manufacturer | STMicroelectronics |
| mounting style | SMD/SMT |
| packaging | Tape and Reel |
| product category | Power MOSFET |
| product type | MOSFET |
| series | STD11N65M5 |
| subcategory | MOSFETs |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| lead shape | Gull-wing |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Surface Mount |
| part status | Active |
| pcb changed | 2 |
| standard package name | TO-252 |
| supplier package | DPAK |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 85000 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Single |
| hts | 8541.29.00.95 |
| package height | 2.4(Max) |
| package length | 6.6(Max) |
| package width | 6.2(Max) |
| process technology | MDmesh |
| Вес и габариты | |
| tradename | MDmesh |
| number of elements per chip | 1 |
| channel type | N |
| technology | Si |
| pd - power dissipation | 85 W |
| tab | Tab |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 9 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 480@10V |
| maximum drain source voltage (v) | 650 |
| maximum gate source leakage current (na) | 100 |
| maximum gate source voltage (v) | ±25 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 5 |
| maximum idss (ua) | 1 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 17 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 17@10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 644@100V |
| military | No |
| rds on - drain-source resistance | 480 mOhms |
| transistor polarity | N-Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage | 650 V |
| id - continuous drain current | 9 A |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![Транзистор КТ826Б \NPN\15\КТ-9\; транз КТ826Б \NPN\15\КТ-9\](/wa-data/public/shop/products/96/23/292396/images/337119/337119.300x0.jpg "Транзистор КТ826Б \NPN\15\КТ-9\; транз КТ826Б \NPN\15\КТ-9\")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
