STD10NM60ND, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5А; Idm: 32А; 70Вт; DPAK

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STD10NM60ND
МОП-транзистор N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
Основные
вес, г0.4
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
370
+
Бонус: 7.4 !
Бонусная программа
Итого: 370
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
Основные
вес, г0.4
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки2500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковка / блокTO-252-3
серияSTD10NM60ND
pd - рассеивание мощности70 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки8 A
qg - заряд затвора19 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток600 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль