Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263транзистор: N-MOSFET 500V 9A <0.82Om корпус: D2PAK аналоги: 2SK1314(L)/(S) 2SK1316(L)/(S) 2SK1316S 2SK2187 2SK2191 2SK2213-01S 2SK2619 2SK2874-01S 2SK2991 2SK3238 2SK3251 2SK3325-ZJ 2SK3456-ZJ 2SK3512-01S 2SK3521-01S 2SK3933-01S BUZ40B BUZ41A FK14VS-10 FMC05N50E FMC07N50E FMC12N50E FQB5N50C FQB6N50

Подробное описание

Основные
вес, г	2.06
package / case	TO-263-3
type	MOSFET
length	10.4 mm

Все характеристики

53 ₽

– +

Бонус: 1.06 !

Бонусная программа

Итого: 53 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	2.06
package / case	TO-263-3
type	MOSFET
length	10.4 mm
minimum operating temperature	- 55 C
width	9.35 mm
factory pack quantity	1000
manufacturer	STMicroelectronics
maximum operating temperature	+ 150 C
mounting style	SMD/SMT
packaging	Cut Tape or Reel
product category	MOSFET
product type	MOSFET
series	STB9NK50Z
subcategory	MOSFETs
unit weight	0.139332 oz
configuration	Single
fall time	22 ns
rise time	20 ns
height	4.6 mm
number of channels	1 Channel
Вес и габариты
tradename	SuperMESH
technology	Si
pd - power dissipation	110 W
channel mode	Enhancement
rds on - drain-source resistance	850 mOhms
transistor polarity	N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	500 V
vgs - gate-source voltage	30 V
id - continuous drain current	7.2 A
typical turn-on delay time	17 ns
typical turn-off delay time	45 ns
forward transconductance - min	5.3 S
transistor type	1 N-Channel

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки