Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 1, корпус: TO263МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Подробное описание

Основные
вес, г	2.1
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

77 ₽

– +

Бонус: 1.54 !

Бонусная программа

Итого: 77 ₽

Купить

Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 1, корпус: TO263МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Основные
вес, г	2.1
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	1000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	STMicroelectronics
упаковка / блок	TO-263-3
серия	STB6N80K5
коммерческое обозначение	MDmesh
pd - рассеивание мощности	110 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	4.5 A
qg - заряд затвора	7.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	1.6 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	800 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel

Отзывов нет

Кнопки