N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.

Подробное описание

Основные
вес, г	1.69
mounting type	Поверхностный монтаж
тип корпуса	D2PAK (TO-263)
length	10.75мм

Все характеристики

540 ₽

– +

Бонус: 10.8 !

Бонусная программа

Итого: 540 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	1.69
mounting type	Поверхностный монтаж
тип корпуса	D2PAK (TO-263)
length	10.75мм
minimum operating temperature	-55 °C
width	10.4мм
pin count	3
maximum operating temperature	+175 °C
series	STripFET II
height	4.6мм
Вес и габариты
number of elements per chip	1
максимальное рассеяние мощности	95 Вт
channel type	N
transistor configuration	Одинарный
maximum drain source voltage	60 В
максимальное напряжение затвор-исток	-16 В, +16 В
maximum continuous drain current	55 А
maximum drain source resistance	20 мΩ
типичный заряд затвора при vgs	27 нКл при 4,5 В
channel mode	Поднятие
материал транзистора	Кремний
minimum gate threshold voltage	1V

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки