STB24N60M2, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 18 А, 0.168 Ом, TO-262, Through Hole

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STB24N60M2
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г2
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииMDmesh II Plus
количество выводов3вывод(-ов)
680
+
Бонус: 13.6 !
Бонусная программа
Итого: 680
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г2
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииMDmesh II Plus
количество выводов3вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность150Вт
power dissipation150Вт
напряжение истока-стока vds600В
полярность транзистораN Канал
стиль корпуса транзистораTO-262
непрерывный ток стока18А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.168Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs
монтаж транзистораThrough Hole
drain source on state resistance0.168Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль