STB14NK50ZT4, N-Channel MOSFET, 14 A, 500 V, 3-Pin D2PAK STB14NK50ZT4

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STB14NK50ZT4
Semiconductorsтранзистор: N-MOSFET 500V 14A <0,38Om корпус: D2PAK аналоги: 2SK3581-01S 2SK3684-01S FMC12N50ES FMC16N50ES FMC20N50E FQB13N50C IXFA12N50P IXFA16N50P IXTA12N50P SPB12N50C3 SPB16N50C3
STMicroelectronics
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
Основные
вес, г5
максимальная рабочая температура+150 °C
минимальная рабочая температура-55 °C
1 010
+
Бонус: 20.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 010
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductorsтранзистор: N-MOSFET 500V 14A <0,38Om корпус: D2PAK аналоги: 2SK3581-01S 2SK3684-01S FMC12N50ES FMC16N50ES FMC20N50E FQB13N50C IXFA12N50P IXFA16N50P IXTA12N50P SPB12N50C3 SPB16N50C3
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
Основные
вес, г5
максимальная рабочая температура+150 °C
минимальная рабочая температура-55 °C
серияMDmesh, SuperMESH
длина10.4мм
тип корпусаD2PAK (TO-263)
тип монтажаПоверхностный монтаж
число контактов3
размеры10.4 x 9.35 x 4.6мм
Вес и габариты
количество элементов на ис1
максимальное рассеяние мощности150 Вт
тип каналаN
transistor configurationОдинарный
типичное время задержки выключения54 нс
максимальное сопротивление сток-исток380 mΩ
максимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 V
maximum gate threshold voltage4.5V
максимальное напряжение сток-исток500 В
типичный заряд затвора при vgs69 нКл при 10 В
номер каналаПоднятие
максимальный непрерывный ток стока14 А
материал транзистораSI
типичное время задержки включения24 ns
minimum gate threshold voltage3V
категорияМощный МОП-транзистор
типичная входная емкость при vds2000 пФ при 25 В
Высота 4.6 мм
Ширина9.35 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль