SSM6P41FE(TE85L,F)
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=-0.72A VDSS=-20V
| Основные | |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | SOT-563, SOT-666 |
| rohs status | RoHS Compliant |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 4000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Toshiba |
| упаковка / блок | SOT-563-6 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.21.0095 |
| серия | SSM6P41FE |
| supplier device package | ES6 (1.6x1.6) |
| длина | 1.6 mm |
| pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| количество каналов | 2 Channel |
| base product number | TLP621 -> |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| конфигурация | Dual |
| id - непрерывный ток утечки | 720 mA |
| qg - заряд затвора | 1.76 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 300 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| канальный режим | Enhancement |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 850 mS |
| полярность транзистора | P-Channel |
| тип транзистора | 2 P-Channel |
| типичное время задержки выключения | 38 ns |
| типичное время задержки при включении | 11 ns |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 720mA |
| drain to source voltage (vdss) | 20V |
| fet type | 2 P-Channel (Dual) |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 1.76nC @ 4.5V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 110pF @ 10V |
| rds on (max) @ id, vgs | 300mOhm @ 400mA, 4.5V |
| vgs(th) (max) @ id | 1V @ 1mA |
| power - max | 150mW |
| fet feature | Logic Level Gate |
| Высота | 0.55 мм |
| Ширина | 1.2 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![КТ819А, Биполярный транзистор, NPN, 40В, 10А, 60Вт, 3МГц [КТ-28 / TO-220]](/wa-data/public/shop/products/28/72/27228/images/37729/37729.300x0.jpg "КТ819А, Биполярный транзистор, NPN, 40В, 10А, 60Вт, 3МГц [КТ-28 / TO-220]")
![DTA114YKA, Транзистор PNP Digital 50В R1=10 кОм R2= 47 кОм 0.2Вт [SOT-23-3]](/wa-data/public/shop/products/19/73/297319/images/345600/345600.300x0.jpg "DTA114YKA, Транзистор PNP Digital 50В R1=10 кОм R2= 47 кОм 0.2Вт [SOT-23-3]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
