SSM6N57NU,LF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаToshiba
упаковка / блокUDFN-6
серияSSM6N57
длина2 mm
pd - рассеивание мощности2 W
количество каналов2 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияDual
id - непрерывный ток утечки4 A
qg - заряд затвора3.2 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток82 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора2 N-Channel
Высота 0.75 мм
Ширина2 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль