Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETU-MOSIII MOSFETs Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single and dual channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

Подробное описание

Основные
вес, г	0.04
factory pack quantity: factory pack quantity:	4000
manufacturer:	Toshiba
maximum operating temperature:	+150 C

Все характеристики

110 ₽

– +

Бонус: 2.2 !

Бонусная программа

Итого: 110 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	0.04
factory pack quantity: factory pack quantity:	4000
manufacturer:	Toshiba
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
product category:	MOSFET
product type:	MOSFET
series:	SSM6N15
subcategory:	MOSFETs
packaging:	Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
package/case:	ES6-6
tradename:	U-MOSIII
pd - power dissipation:	150 mW
number of channels:	2 Channel
technology:	Si
configuration:	Dual
channel mode:	Enhancement
id - continuous drain current:	100 mA
rds on - drain-source resistance:	3.6 Ohms
transistor polarity:	N-Channel
transistor type:	2 N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:	30 V
vgs - gate-source voltage:	-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	800 mV

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки