SSM6L36FE,LM
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив Mosfet N и P-канал 20 В, 500 мА, 330 мА, 150 мВт, поверхностный монтаж ES6 (1,6x1,6)
| Основные | |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | SOT-563, SOT-666 |
| rohs status | RoHS Compliant |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 4000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Toshiba |
| упаковка / блок | ES6-6 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.21.0095 |
| серия | SSM6L36 |
| supplier device package | ES6 (1.6x1.6) |
| длина | 1.6 mm |
| коммерческое обозначение | U-MOSIII |
| pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| количество каналов | 2 Channel |
| base product number | TLP620 -> |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| конфигурация | Dual |
| квалификация | AEC-Q101 |
| id - непрерывный ток утечки | 500 mA, 330 mA |
| qg - заряд затвора | 1.23 nC, 1.2 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 460 mOhms, 950 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V, - 8 V, + 8 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 350 mV, 1 V |
| канальный режим | Enhancement |
| полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| типичное время задержки выключения | 75 ns, 200 ns |
| типичное время задержки при включении | 30 ns, 90 ns |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 500mA, 330mA |
| drain to source voltage (vdss) | 20V |
| fet type | N and P-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 1.23nC @ 4V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 46pF @ 10V |
| rds on (max) @ id, vgs | 630mOhm @ 200mA, 5V |
| vgs(th) (max) @ id | 1V @ 1mA |
| power - max | 150mW |
| fet feature | Logic Level Gate |
| Высота | 0.55 мм |
| Ширина | 1.2 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
