Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1

Подробное описание

Основные
вес, г	0.0075
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

130 ₽

– +

Бонус: 2.6 !

Бонусная программа

Итого: 130 ₽

Купить

Основные
вес, г	0.0075
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка / блок	SOT-363-6
серия	SSM6L35
длина	2 mm
коммерческое обозначение	MOSVI
pd - рассеивание мощности	200 mW
количество каналов	2 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Dual
квалификация	AEC-Q101
id - непрерывный ток утечки	180 mA, 100 mA
rds вкл - сопротивление сток-исток	11 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
vgs - напряжение затвор-исток	10 V, + 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel, P-Channel
тип транзистора	1 N-Channel, 1 P-Channel
типичное время задержки выключения	300 ns, 251 ns
типичное время задержки при включении	115 ns, 175 ns
Высота	0.9 мм
Ширина	1.25 мм

Отзывов нет

Кнопки