Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Small Signal МОП-транзистор N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=3.0A, RDS(ON)=0.055Ohm @ 4V, in UF6 package

Подробное описание

Основные
вес, г	0.007
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

Все характеристики

160 ₽

– +

Бонус: 3.2 !

Бонусная программа

Итого: 160 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	0.007
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка / блок	UDFN-6
серия	SSM6K
коммерческое обозначение	U-MOSIII
pd - рассеивание мощности	500 mW
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
квалификация	AEC-Q101
id - непрерывный ток утечки	3 A
qg - заряд затвора	5.9 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	55 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
vgs - напряжение затвор-исток	10 V, + 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	15 ns
типичное время задержки при включении	14 ns

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки