SSM6K217FE.LF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор Small Signal МОП-транзистор
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
170
+
Бонус: 3.4 !
Бонусная программа
Итого: 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор Small Signal МОП-транзистор
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-563, SOT-666
rohs statusRoHS Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки4000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаToshiba
упаковка / блокES6-6
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
серияSSM6K
supplier device packageES6
длина1.6 mm
seriesU-MOSVII-H ->
pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
количество каналов1 Channel
base product number2SC4881 ->
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки1.8 A
qg - заряд затвора1.1 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток400 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
vgs - напряжение затвор-исток12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток500 mV
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c1.8A (Ta)
drain to source voltage (vdss)40V
drive voltage (max rds on, min rds on)1.8V, 8V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs1.1nC @ 4.2V
input capacitance (ciss) (max) @ vds130pF @ 10V
power dissipation (max)500mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs195mOhm @ 1A, 8V
vgs (max)В±12V
vgs(th) (max) @ id1.2V @ 1mA
Высота 0.55 мм
Ширина1.2 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль