SSM6J212FE,LF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW
Основные
вес, г0.036
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW
Основные
вес, г0.036
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки4000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаToshiba
упаковка / блокES6-6
серияSSM6J212
длина1.6 mm
коммерческое обозначениеU-MOSVI
pd - рассеивание мощности500 mW
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки4 A
qg - заряд затвора14.1 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток94 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток8 V, + 8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораP-Channel
тип транзистора1 P-Channel
Высота 0.55 мм
Ширина1.2 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль