Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=.1A VDSS=30V

Подробное описание

Основные
вес, г	0.0024
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

83 ₽

– +

Бонус: 1.66 !

Бонусная программа

Итого: 83 ₽

Купить

Основные
вес, г	0.0024
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка / блок	SOT-416-3
pd - рассеивание мощности	150 mW
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	100 mA
rds вкл - сопротивление сток-исток	2.2 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	800 mV
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	25 mS
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	200 ns
типичное время задержки при включении	50 ns

Отзывов нет

Кнопки