SSM3K2615R,LF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Small-Signal МОП-транзистор
Основные
вес, г0.008
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
78
+
Бонус: 1.56 !
Бонусная программа
Итого: 78
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Small-Signal МОП-транзистор
Основные
вес, г0.008
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаToshiba
упаковка / блокSOT-23F-3
серияSSM3K2615
длина2.9 mm
время нарастания25 ns
время спада50 ns
коммерческое обозначениеMOSV
pd - рассеивание мощности2 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
id - непрерывный ток утечки2 A
qg - заряд затвора6 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток300 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток800 mV
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения150 ns
типичное время задержки при включении30 ns
continuous drain current (id) @ 25°c2A
power dissipation-max (ta=25°c)1W
rds on - drain-source resistance300mΩ 1A, 10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage60V
vgs - gate-source voltage2V 1mA
Высота 0.9 мм
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль