Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS

Подробное описание

Основные
вес, г	0.0006
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

110 ₽

– +

Бонус: 2.2 !

Бонусная программа

Итого: 110 ₽

Купить

Основные
вес, г	0.0006
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	10000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка / блок	CST3-3
серия	SSM3K15ACTC
коммерческое обозначение	U-MOSIII
pd - рассеивание мощности	500 mW
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	100 mA
rds вкл - сопротивление сток-исток	2.3 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	35 mS
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	35 ns
типичное время задержки при включении	5.5 ns

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

SSM3K15ACTC,L3F