Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=-2A VDSS=-20V

Подробное описание

Основные
вес, г	0.012
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

150 ₽

– +

Бонус: 3 !

Бонусная программа

Итого: 150 ₽

Купить

Основные
вес, г	0.012
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка / блок	S-Mini-3
pd - рассеивание мощности	600 mW
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	2 A
qg - заряд затвора	5.1 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	90 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
vgs - напряжение затвор-исток	12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.2 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	3.8 S
полярность транзистора	P-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	54 ns
типичное время задержки при включении	31 ns

Отзывов нет

Кнопки