SSM3J332R.LF
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Транзисторыкол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23P-канал 30V 6A (Ta) 1W (Ta) поверхностный монтаж SOT-23F
| Основные | |
| вес, г | 0.037 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | SOT-23-3 Flat Leads |
| rohs status | RoHS Compliant |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| supplier device package | SOT-23F |
| pin count | 3 |
| packaging | Tape and Reel |
| product category | Power MOSFET |
| series | U-MOSVI -> |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant |
| lead shape | Flat |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Surface Mount |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| ppap | No |
| standard package name | SOT |
| supplier package | SOT-23F |
| base product number | TD62083 -> |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 1000 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Single |
| Вес и габариты | |
| number of elements per chip | 1 |
| channel type | P |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| material | Si |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 6 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 42 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 30 |
| maximum gate source voltage (v) | ±12 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 8.2 4.5V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 860 15V |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 6A (Ta) |
| drain to source voltage (vdss) | 30V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 1.8V, 10V |
| fet type | P-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 8.2nC @ 4.5V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 560pF @ 15V |
| power dissipation (max) | 1W (Ta) |
| rds on (max) @ id, vgs | 42mOhm @ 5A, 10V |
| vgs (max) | В±12V |
| vgs(th) (max) @ id | 1.2V @ 1mA |
| rds on - drain-source resistance | 42mО© @ 5A,10V |
| transistor polarity | P Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage | 30V |
| vgs - gate-source voltage | 1.2V @ 1mA |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 6A |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 1W |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
