Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=-3.2A VDSS=-20V
Основные
вес, г
0.0066
вид монтажа
SMD/SMT
категория продукта
МОП-транзистор
максимальная рабочая температура
+ 150 C
подкатегория
MOSFETs
размер фабричной упаковки
3000
тип продукта
MOSFET
торговая марка
Toshiba
упаковка
Reel, Cut Tape
упаковка / блок
UFM-3
серия
SSM3J134TU
pd - рассеивание мощности
500 mW
количество каналов
1 Channel
Вес и габариты
технология
Si
конфигурация
Single
id - непрерывный ток утечки
3.2 A
qg - заряд затвора
4.7 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток
93 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
vgs - напряжение затвор-исток
8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
канальный режим
Enhancement
полярность транзистора
P-Channel
типичное время задержки выключения
46.2 ns
типичное время задержки при включении
12 ns
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26