SQS966ENW-T1_GE3, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 6 А, 0.028 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SQS966ENW-T1_GE3
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы
Основные
вес, г3
максимальная рабочая температура175 C
линейка продукцииTrenchFET
количество выводов8вывод(-ов)
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы
Основные
вес, г3
максимальная рабочая температура175 C
линейка продукцииTrenchFET
количество выводов8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
стандарты автомобильной промышленностиAEC-Q101
рассеиваемая мощность27.8Вт
напряжение истока-стока vds60В
полярность транзистораN Канал
стиль корпуса транзистораPowerPAK 1212
непрерывный ток стока
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.028Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs
монтаж транзистораSurface Mount
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль