SQP120N10-09_GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Chnl 100-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
Основные
вес, г1.8
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
880
+
Бонус: 17.6 !
Бонусная программа
Итого: 880
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Chnl 100-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
Основные
вес, г1.8
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокTO-220-3
серияSQ
время нарастания24 ns
время спада16 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности375 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
id - непрерывный ток утечки120 A
qg - заряд затвора180 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток7.9 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения52 ns
типичное время задержки при включении21 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль