SQM30010EL_GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs TO-263
Основные
вес, г4
вид монтажа:SMD/SMT
категория продукта:МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:+ 175 C
880
+
Бонус: 17.6 !
Бонусная программа
Итого: 880
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs TO-263
Основные
вес, г4
вид монтажа:SMD/SMT
категория продукта:МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:+ 175 C
минимальная рабочая температура:- 55 C
подкатегория:MOSFETs
производитель:Vishay
тип продукта:MOSFET
торговая марка:Vishay / Siliconix
размер фабричной упаковки:1
упаковка / блок:TO-263-3
время нарастания:240 ns
время спада:44 ns
Вес и габариты
pd - рассеивание мощности:375 W
количество каналов:1 Channel
технология:Si
конфигурация:Single
id - непрерывный ток утечки:120 A
qg - заряд затвора:450 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:1.35 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток:30 V
vgs - напряжение затвор-исток:- 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :1.5 V
канальный режим:Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.:233 S
полярность транзистора:N-Channel
тип транзистора:1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET
типичное время задержки выключения:98 ns
типичное время задержки при включении:30 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль