Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs TO-263
Основные
вес, г
4
вид монтажа:
SMD/SMT
категория продукта:
МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:
+ 175 C
минимальная рабочая температура:
- 55 C
подкатегория:
MOSFETs
производитель:
Vishay
тип продукта:
MOSFET
торговая марка:
Vishay / Siliconix
размер фабричной упаковки:
1
упаковка / блок:
TO-263-3
время нарастания:
240 ns
время спада:
44 ns
Вес и габариты
pd - рассеивание мощности:
375 W
количество каналов:
1 Channel
технология:
Si
конфигурация:
Single
id - непрерывный ток утечки:
120 A
qg - заряд затвора:
450 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:
1.35 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток:
30 V
vgs - напряжение затвор-исток:
- 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :
1.5 V
канальный режим:
Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.:
233 S
полярность транзистора:
N-Channel
тип транзистора:
1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET
типичное время задержки выключения:
98 ns
типичное время задержки при включении:
30 ns
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26