Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Основные
вес, г	0.17
максимальная рабочая температура	175 C
линейка продукции	TrenchFET
количество выводов	3вывод(-ов)

380 ₽

– +

Бонус: 7.6 !

Бонусная программа

Итого: 380 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Основные
вес, г	0.17
максимальная рабочая температура	175 C
линейка продукции	TrenchFET
количество выводов	3вывод(-ов)
Вес и габариты
channel type	N Channel
стандарты автомобильной промышленности	AEC-Q101
квалификация	AEC-Q101
рассеиваемая мощность	136Вт
power dissipation	136Вт
напряжение истока-стока vds	100В
полярность транзистора	N Канал
стиль корпуса транзистора	TO-252AA
непрерывный ток стока	50А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0071Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	2В
монтаж транзистора	Surface Mount
drain source on state resistance	0.0071Ом

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

SQD50N10-8M9L_GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 50 А, 0.0071 Ом, TO-252AA, Surface Moun