SQD50N10-8M9L_GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 50 А, 0.0071 Ом, TO-252AA, Surface Moun

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SQD50N10-8M9L_GE3
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г0.17
максимальная рабочая температура175 C
линейка продукцииTrenchFET
количество выводов3вывод(-ов)
380
+
Бонус: 7.6 !
Бонусная программа
Итого: 380
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г0.17
максимальная рабочая температура175 C
линейка продукцииTrenchFET
количество выводов3вывод(-ов)
Вес и габариты
channel typeN Channel
стандарты автомобильной промышленностиAEC-Q101
квалификацияAEC-Q101
рассеиваемая мощность136Вт
power dissipation136Вт
напряжение истока-стока vds100В
полярность транзистораN Канал
стиль корпуса транзистораTO-252AA
непрерывный ток стока50А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0071Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance0.0071Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль