Подробное описание

Основные
вес, г	0.33
mounting type	Surface Mount
package type	DPAK(TO-252)
minimum operating temperature	-55 C

Все характеристики

530 ₽

– +

Бонус: 10.6 !

Бонусная программа

Итого: 530 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор МОП-транзисторы SQ для автомобильной промышленности Vishay / Siliconix МОП-транзисторы SQ для автомобильной промышленности сертифицированы по стандарту AEC-Q101 и производятся с использованием специального технологического процесса, оптимизированного для использования в автомобильной промышленности. Эти полевые МОП-транзисторы SQ отличаются низким сопротивлением в открытом состоянии N- и P-каналом TrenchFET® и низким тепловым сопротивлением. Полевые МОП-транзисторы SQ доступны в большом количестве корпусов для гибкости конструкции. Пакеты включают TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK и PowerPAK 1212-8W, а также несколько компактных, небольших -конфигурация вариантов. Также доступен полный диапазон вариантов полярности, включая совместные пакеты с N-каналом и P-каналом.

Основные
вес, г	0.33
mounting type	Surface Mount
package type	DPAK(TO-252)
minimum operating temperature	-55 C
width	6.22mm
pin count	3
maximum operating temperature	+175 C
series	SQ Rugged
вид монтажа:	SMD/SMT
категория продукта:	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:	+ 175 C
минимальная рабочая температура:	- 55 C
подкатегория:	MOSFETs
производитель:	Vishay
серия:	SQ
тип продукта:	MOSFET
торговая марка:	Vishay / Siliconix
размер фабричной упаковки:	2000
упаковка:	Cut Tape, MouseReel, Reel
упаковка / блок:	TO-252-3
время нарастания:	11 ns
время спада:	19 ns
Вес и габариты
коммерческое обозначение:	TrenchFET
number of elements per chip	1
channel type	P
pd - рассеивание мощности:	71 W
количество каналов:	1 Channel
квалификация:	AEC-Q101
технология:	Si
конфигурация:	Single
transistor configuration	Single
maximum drain source voltage	30 V
maximum gate source voltage	-20 V, +20 V
maximum continuous drain current	37 A
transistor material	Si
maximum drain source resistance	24 mΩ
channel mode	Enhancement
minimum gate threshold voltage	1.5V
id - непрерывный ток утечки:	50 A
qg - заряд затвора:	83 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:	8 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток:	30 V
vgs - напряжение затвор-исток:	- 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :	2.5 V
канальный режим:	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.:	34 S
полярность транзистора:	P-Channel
тип транзистора:	1 P-Channel
типичное время задержки выключения:	29 ns
типичное время задержки при включении:	11 ns
maximum power dissipation	71 W
typical gate charge @ vgs	55.3 nC 10 V

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки