SQD40052EL_GE3, Dual N-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 3-Pin DPAK
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:SQD40052EL_GE3
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETsThe Vishay TrenchFET automotive N-channel is 40 V power MOSFET. 100 % Rg and UIS tested
Основные
mounting type
Surface Mount
package type
DPAK(TO-252)
pin count
3
series
TrenchFET
Вес и габариты
number of elements per chip
2
channel type
N
maximum drain source voltage
40 V
maximum continuous drain current
30 A
transistor material
Si
maximum gate threshold voltage
2.2V
maximum drain source resistance
0.006 Ω
channel mode
Enhancement
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26