SQ9945BEY-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 60В, 3,1А, 4Вт, SO8
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SQ9945BEY-T1_GE3
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
| Основные | |
| вес, г | 0.2 |
| pin count | 8 |
| packaging | Tape and Reel |
| product category | Power MOSFET |
| automotive | Yes |
| eu rohs | compliant |
| lead shape | Gull-wing |
| maximum operating temperature (°c) | 175 |
| mounting | surface mount |
| part status | active |
| pcb changed | 8 |
| ppap | Unknown |
| standard package name | SOP |
| supplier package | SOIC N |
| eccn (us) | ear99 |
| maximum power dissipation (mw) | 4000 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| supplier temperature grade | Automotive |
| configuration | Dual Dual Drain |
| process technology | TrenchFET |
| Вес и габариты | |
| number of elements per chip | 2 |
| channel type | N |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 5.4 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 64 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 60 |
| maximum gate source leakage current (na) | 100 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 2.5 |
| maximum idss (ua) | 1 |
| typical fall time (ns) | 1.7 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 8 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 8 10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 375 25V |
| typical rise time (ns) | 2.8 |
| typical turn-off delay time (ns) | 17 |
| typical turn-on delay time (ns) | 6 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
