SQ4961EY-T1_GE3, MOSFET Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

Подробное описание

Основные
вес, г	0.19
package / case	SO-8
minimum operating temperature	-55 C
factory pack quantity	2500

Все характеристики

500 ₽

– +

Бонус: 10 !

Бонусная программа

Итого: 500 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET МОП-транзисторы SQ для автомобильной промышленности Vishay / Siliconix МОП-транзисторы SQ для автомобильной промышленности сертифицированы по стандарту AEC-Q101 и производятся с использованием специальной технологии, оптимизированной для использования в автомобильной промышленности. Эти полевые МОП-транзисторы SQ отличаются низким сопротивлением в открытом состоянии N- и P-каналом TrenchFET® и низким тепловым сопротивлением. Полевые МОП-транзисторы SQ доступны в большом количестве корпусов для гибкости конструкции. Пакеты включают TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK и PowerPAK 1212-8W, а также несколько компактных, небольших -конфигурационные варианты. Также доступен полный спектр вариантов полярности, включая совместные пакеты с N-каналом и P-каналом. Автомобильные силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ предлагаются в широком диапазоне вариантов полярности, включая совместные пакеты с N-каналом и P-кан

Основные
вес, г	0.19
package / case	SO-8
minimum operating temperature	-55 C
factory pack quantity	2500
manufacturer	Vishay
maximum operating temperature	+175 C
mounting style	SMD/SMT
packaging	Cut Tape or Reel
product category	MOSFET
product type	MOSFET
series	SQ
subcategory	MOSFETs
configuration	Dual
fall time	8 ns
rise time	13 ns
factory pack quantity: factory pack quantity:	2500
manufacturer:	Vishay
maximum operating temperature:	+175 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
product category:	MOSFET
product type:	MOSFET
series:	SQ
subcategory:	MOSFETs
packaging:	Reel, Cut Tape, MouseReel
number of channels	2 Channel
Вес и габариты
package/case:	SOIC-8
tradename:	TrenchFET
tradename	TrenchFET
pd - power dissipation:	3.3 W
technology	Si
number of channels:	2 Channel
qualification:	AEC-Q101
pd - power dissipation	3.3 W
qualification	AEC-Q101
technology:	Si
configuration:	Dual
channel mode	Enhancement
continuous drain current (id) @ 25°c	4.4A(Tc)
power dissipation-max (ta=25°c)	3.3W(Tc)
rds on - drain-source resistance	70 mOhms
transistor polarity	P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	60 V
vgs - gate-source voltage	20 V
id - continuous drain current	4.4 A
typical turn-on delay time	11 ns
typical turn-off delay time	36 ns
forward transconductance - min	9 S
qg - gate charge	40 nC
transistor type	2 P-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage	2.5 V
channel mode:	Enhancement
id - continuous drain current:	4.4 A
qg - gate charge:	40 nC
rds on - drain-source resistance:	70 mOhms
transistor polarity:	P-Channel
transistor type:	2 P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:	60 V
vgs - gate-source voltage:	-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	2.5 V
typical turn-off delay time:	36 ns
typical turn-on delay time:	11 ns
forward transconductance - min:	9 S
fall time:	8 ns
rise time:	13 ns

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки