SQ2310ES-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 1, корпус: TO236, АБ
Основные
вес, г0.041
package / caseTO-236-3
minimum operating temperature-55 C
factory pack quantity3000
36
+
Бонус: 0.72 !
Бонусная программа
Итого: 36
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 1, корпус: TO236, АБ
Основные
вес, г0.041
package / caseTO-236-3
minimum operating temperature-55 C
factory pack quantity3000
manufacturerVishay
maximum operating temperature+175 C
mounting styleSMD/SMT
packagingCut Tape or Reel
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
seriesSQ
subcategoryMOSFETs
configurationSingle
fall time9 ns
rise time8 ns
number of channels1 Channel
Вес и габариты
tradenameTrenchFET
technologySi
pd - power dissipation2 W
qualificationAEC-Q101
channel modeEnhancement
rds on - drain-source resistance24 mOhms
transistor polarityN-Channel
vds - drain-source breakdown voltage20 V
vgs - gate-source voltage8 V
id - continuous drain current6 A
typical turn-on delay time7 ns
typical turn-off delay time21 ns
forward transconductance - min27 S
qg - gate charge8.5 nC
transistor type1 N-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage400 mV
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль