SQ2310ES-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 3,5А, 0,6Вт, SOT23
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SQ2310ES-T1_GE3
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
| Основные | |
| вес, г | 0.01 |
| package / case | TO-236-3 |
| minimum operating temperature | -55 C |
| factory pack quantity | 3000 |
| manufacturer | Vishay |
| maximum operating temperature | +175 C |
| mounting style | SMD/SMT |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| series | SQ |
| subcategory | MOSFETs |
| configuration | Single |
| fall time | 9 ns |
| rise time | 8 ns |
| number of channels | 1 Channel |
| Вес и габариты | |
| tradename | TrenchFET |
| technology | Si |
| pd - power dissipation | 2 W |
| qualification | AEC-Q101 |
| channel mode | Enhancement |
| rds on - drain-source resistance | 24 mOhms |
| transistor polarity | N-Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage | 20 V |
| vgs - gate-source voltage | 8 V |
| id - continuous drain current | 6 A |
| typical turn-on delay time | 7 ns |
| typical turn-off delay time | 21 ns |
| forward transconductance - min | 27 S |
| qg - gate charge | 8.5 nC |
| transistor type | 1 N-Channel |
| vgs th - gate-source threshold voltage | 400 mV |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
