SQ1922EEH-T1_GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
Основные
вес, г0.078
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
Основные
вес, г0.078
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокSC-70-6
серияSQ
время нарастания12 ns
время спада6 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности1.5 W
количество каналов2 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияDual
квалификацияAEC-Q101
id - непрерывный ток утечки840 mA
qg - заряд затвора700 pC
rds вкл - сопротивление сток-исток350 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения15 ns
типичное время задержки при включении10 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль