SPD06N60C3ATMA1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Производитель: Infineon Категория продукта: МОП-транзистор Технология: Si Вид монтажа: SMD/SMT Упаковка / блок: TO-252-3 Полярность транзистора: N-Channel Количество каналов: 1 Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V Id - непрерывный ток утечки: 6.2 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 680 mOhms Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 2.1 V Qg - заряд затвора: 31 nC Минимальная рабочая температура: - 55 C...
Корпус
id - непрерывный ток утечки:6.2 A
количество каналов:1 Channel
360
+
Бонус: 7.2 !
Бонусная программа
Итого: 360
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Производитель:
Infineon

Категория продукта:
МОП-транзистор

Технология:
Si

Вид монтажа:
SMD/SMT

Упаковка / блок:
TO-252-3

Полярность транзистора:
N-Channel

Количество каналов:
1 Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток:
600 V

Id - непрерывный ток утечки:
6.2 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток:
680 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток:
- 20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :
2.1 V

Qg - заряд затвора:
31 nC

Минимальная рабочая температура:
- 55 C

Максимальная рабочая температура:
+ 150 C

Pd - рассеивание мощности:
74 W

Канальный режим:
Enhancement

Упаковка:
Reel

Упаковка:
Cut Tape

Упаковка:
MouseReel

Торговая марка:
Infineon Technologies

Конфигурация:
Single

Время спада:
10 ns

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:
5.6 S

Высота:
2.3 mm

Длина:
6.5 mm

Тип продукта:
MOSFET

Время нарастания:
12 ns

Размер фабричной упаковки:
2500

Подкатегория:
MOSFETs

Тип транзистора:
1 N-Channel

Типичное время задержки выключения:
52 ns

Т
Корпус
id - непрерывный ток утечки:6.2 A
количество каналов:1 Channel
крутизна характеристики, s5.6 S
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт74 W
минимальная рабочая температура:-55 C+150 C
полярность транзистора:N-Channel
qg - заряд затвора:31 nC
серия:CoolMOS C3
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл. (max) при id, rds (on)680 mOhms
технология:Si
тип продукта:MOSFET
vds - напряжение пробоя сток-исток::600 V
вес, г0.33
vgs - напряжение затвор-исток:-20 V, +20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :2.1 V
время нарастания:12 ns
время спада:10 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль