SMA5118

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив Mosfet, 6 каналов N (3-фазный мост), 500 В, 5 А, 4 Вт, сквозное отверстие, 12-SIP
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c5A
drain to source voltage (vdss)500V
eccnEAR99
4 290
+
Бонус: 85.8 !
Бонусная программа
Итого: 4 290
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив Mosfet, 6 каналов N (3-фазный мост), 500 В, 5 А, 4 Вт, сквозное отверстие, 12-SIP
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c5A
drain to source voltage (vdss)500V
eccnEAR99
fet featureStandard
fet type6 N-Channel (3-Phase Bridge)
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds770pF @ 10V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
packageTube
package / case12-SIP
power - max4W
rds on (max) @ id, vgs1.4Ohm @ 2.5A, 10V
rohs statusRoHS Compliant
supplier device package12-SIP
vgs(th) (max) @ id4V @ 1mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль