SIZ980DT-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
Основные
вес, г0.099
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
450
+
Бонус: 9 !
Бонусная программа
Итого: 450
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
Основные
вес, г0.099
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокPowerPAIR-6x5-8
серияSIZ
длина6 mm
время нарастания65 ns, 75 ns
время спада10 ns, 10 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности20 W, 66 W
количество каналов2 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияDual
id - непрерывный ток утечки20 A, 60 A
qg - заряд затвора18 nC, 77 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток4.7 mOhms, 1.1 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V, 1.1 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.80 S, 155 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора2 N-Channel
типичное время задержки выключения10 ns, 30 ns
типичное время задержки при включении15 ns, 35 ns
Высота 0.75 мм
Ширина5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль