SIZ710DT-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7
Основные
вес, г0.3373
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
430
+
Бонус: 8.6 !
Бонусная программа
Итого: 430
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7
Основные
вес, г0.3373
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокPowerPAIR-6x3.7-8
серияSIZ
время нарастания15 ns, 15 ns
время спада12 ns, 12 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности27 W, 48 W
другие названия товара №SIZ710DT-GE3
количество каналов2 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияDual
id - непрерывный ток утечки16 A, 35 A
qg - заряд затвора18 nC, 60 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток6.8 mOhms, 3.3 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.45 S, 85 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора2 N-Channel
типичное время задержки выключения20 ns, 30 ns
типичное время задержки при включении15 ns, 25 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль