SIZ340DT-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance9.5mО© @ 15.6A,10V
transistor polarity2 N Channel(Half Bridge)
vds - drain-source breakdown voltage30V
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance9.5mО© @ 15.6A,10V
transistor polarity2 N Channel(Half Bridge)
vds - drain-source breakdown voltage30V
vgs - gate-source voltage2.4V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c30A,40A
power dissipation-max (ta=25в°c)16.7W,31W
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль