SISS66DN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал + Шоттки, 30 В, 178.3 А, 0.00115 Ом, PowerPAK 1212,

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SISS66DN-T1-GE3
МОП-транзистор N-Channel 30 V (D-S) МОП-транзистор with Schottky Diode
Основные
вес, г15
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
320
+
Бонус: 6.4 !
Бонусная программа
Итого: 320
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор N-Channel 30 V (D-S) МОП-транзистор with Schottky Diode
Основные
вес, г15
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокPowerPAK-1212-8
время нарастания8 ns
время спада8 ns
коммерческое обозначениеPowerPAK
pd - рассеивание мощности65.8 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки178.3 A
qg - заряд затвора57 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток1.38 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.84 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения35 ns
типичное время задержки при включении18 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль