SISS04DN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 80 А, 0.001 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mou

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SISS04DN-T1-GE3
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г0.5
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET Gen IV
количество выводов8вывод(-ов)
330
+
Бонус: 6.6 !
Бонусная программа
Итого: 330
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г0.5
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET Gen IV
количество выводов8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность65.7Вт
power dissipation65.7Вт
напряжение истока-стока vds30В
полярность транзистораN Канал
стиль корпуса транзистораPowerPAK 1212
непрерывный ток стока80А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.001Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs2.2В
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance0.001Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль