Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Основные
вес, г	0.5
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET Gen IV
количество выводов	8вывод(-ов)

330 ₽

– +

Бонус: 6.6 !

Бонусная программа

Итого: 330 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Основные
вес, г	0.5
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET Gen IV
количество выводов	8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel type	N Channel
рассеиваемая мощность	65.7Вт
power dissipation	65.7Вт
напряжение истока-стока vds	30В
полярность транзистора	N Канал
стиль корпуса транзистора	PowerPAK 1212
непрерывный ток стока	80А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.001Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	2.2В
монтаж транзистора	Surface Mount
drain source on state resistance	0.001Ом

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

SISS04DN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 80 А, 0.001 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mou