SISH410DN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 35 А, 0.004 Ом, PowerPAK 1212, Surface Moun

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SISH410DN-T1-GE3
МОП-транзистор 20V Vds;+/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
Основные
вес, г1
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 20V Vds;+/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
Основные
вес, г1
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокPowerPAK1212-8
серияSIS
время нарастания15 ns
время спада15 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности52 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки35 A
qg - заряд затвора41 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток4.8 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.70 A
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения30 ns
типичное время задержки при включении12 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль