SISH129DN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 30 В, 35 А, 0.0095 Ом, PowerPAK 1212, Surface M

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SISH129DN-T1-GE3
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г3
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET
количество выводов8вывод(-ов)
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г3
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET
количество выводов8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel typeP Channel
рассеиваемая мощность52.1Вт
power dissipation52.1Вт
напряжение истока-стока vds30В
полярность транзистораP Канал
стиль корпуса транзистораPowerPAK 1212
непрерывный ток стока35А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0095Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs2.8В
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance0.0095Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль