Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Основные
вес, г	3
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET
количество выводов	8вывод(-ов)

200 ₽

– +

Бонус: 4 !

Бонусная программа

Итого: 200 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Основные
вес, г	3
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET
количество выводов	8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel type	P Channel
рассеиваемая мощность	52.1Вт
power dissipation	52.1Вт
напряжение истока-стока vds	30В
полярность транзистора	P Канал
стиль корпуса транзистора	PowerPAK 1212
непрерывный ток стока	35А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0095Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	2.8В
монтаж транзистора	Surface Mount
drain source on state resistance	0.0095Ом

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

SISH129DN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 30 В, 35 А, 0.0095 Ом, PowerPAK 1212, Surface M