SISH114ADN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 35 А, 0.0062 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mo

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SISH114ADN-T1-GE3
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор 30V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
Основные
вес, г1
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
170
+
Бонус: 3.4 !
Бонусная программа
Итого: 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор 30V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
Основные
вес, г1
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокPowerPAK-1212-8SH-8
время нарастания8 ns
время спада7 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET; PowerPAK
pd - рассеивание мощности39 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки35 A
qg - заряд затвора32 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток7.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.50 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения20 ns
типичное время задержки при включении11 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль