SISH112DN-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура50 C
450
+
Бонус: 9 !
Бонусная программа
Итого: 450
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура50 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокPowerPAK-1212-8SH
серияSIS
время нарастания10 ns
время спада10 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности3.8 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки17.8 A
qg - заряд затвора27 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток7.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток600 mV
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.97 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET
типичное время задержки выключения65 ns
типичное время задержки при включении10 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль