SISF06DN-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 101 А, 0.00344 Ом, PowerPAK 1212-SCD, Surfac

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SISF06DN-T1-GE3
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторыМОП-транзистор Dual N-Ch 30V(S1-S2)
Основные
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура150 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
260
+
Бонус: 5.2 !
Бонусная программа
Итого: 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторыМОП-транзистор Dual N-Ch 30V(S1-S2)
Основные
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура150 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
линейка продукцииTrenchFET Gen IV
коммерческое обозначениеTrenchFET
количество выводов8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
технологияSi
рассеиваемая мощность69.4Вт
напряжение истока-стока vds30В
полярность транзистораN Канал
стиль корпуса транзистораPowerPAK 1212-SCD
непрерывный ток стока101А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.00344Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs2.3В
монтаж транзистораSurface Mount
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль