SISF04DN-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 108 А, 0.003 Ом, PowerPAK 1212-SCD, Surface

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SISF04DN-T1-GE3
МОП-транзистор N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F
Основные
вес, г0.001
вид монтажа:SMD/SMT
категория продукта:МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:+ 150 C
260
+
Бонус: 5.2 !
Бонусная программа
Итого: 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F
Основные
вес, г0.001
вид монтажа:SMD/SMT
категория продукта:МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:+ 150 C
минимальная рабочая температура:- 55 C
подкатегория:MOSFETs
производитель:Vishay
тип продукта:MOSFET
торговая марка:Vishay Semiconductors
размер фабричной упаковки:3000
упаковка / блок:PowerPAK-1212-8
время нарастания:21 ns
время спада:6 ns
Вес и габариты
коммерческое обозначение:TrenchFET
pd - рассеивание мощности:69.4 W
количество каналов:2 Channel
технология:Si
конфигурация:Dual
id - непрерывный ток утечки:108 A
qg - заряд затвора:40 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:4 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток:30 V
vgs - напряжение затвор-исток:- 12 V, + 16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :2.3 V
канальный режим:Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.:115 S
полярность транзистора:N-Channel
тип транзистора:2 N-Channel
типичное время задержки выключения:30 ns
типичное время задержки при включении:12 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль